Компания Toshiba Electronics Europe выпустила новые диоды для защиты от электростатических разрядов на основе технологического процесса для производства матриц защитных диодов (EAP-IV) 4-го поколения, в котором используется собственная технология изготовления диодов с накоплением заряда.
Непрерывный рост объемов трафика данных, связанный с распространением смартфонов, носимых устройств, а также систем виртуальной реальности и устройств Интернета вещей (IoT), связан с использованием все больших количеств высокоскоростных интерфейсов, которым обычно требуется защита от электростатических разрядов (ESD).
Устройства DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов, в том числе в системах с интерфейсами USB 3.1. Различные рабочие напряжения (3,6 и 5,5 В) и корпуса (SOD962 и DFN10) обеспечивают гибкость при реализации защиты от электростатических разрядов в различных проектах.
Благодаря новому технологическому процессу компании Toshiba эти четыре устройства сочетают низкую емкость, низкое динамическое сопротивление и высокую устойчивость к воздействию электростатических разрядов. Сверхнизкая емкость (0,2 пФ) гарантирует минимальное искажение сигнала при высокоскоростной передаче данных, а типовое динамическое сопротивление RDYN = 0,5 Ом обеспечивает низкие напряжения смещения. Устройства обеспечивают высокий уровень защиты: в соответствии с требованиями IEC61000-4-2 гарантирована защита от электростатических разрядов с напряжением не менее ±20 кВ.
Устройства DF2BxM4SL предназначены специально для монтажа на платах с высокой плотностью компонентов, поскольку корпус SOD-962 требует пространства размером всего 0,62 мм x 0,32 мм и может быть размещен рядом с ИС, требующими защиты от электростатических разрядов. В случае устройств типа DF10GxM4N корпус DFN10 может быть просто размещен сверху 4-разрядной шины. Такая сквозная конструкция позволяет упростить разводку шин на печатных платах, поскольку не требуются дополнительные отводы для подключения отдельных TVS-диодов.