Компания Toshiba Electronics Europe расширяет серию 24 нм флеш-памяти на основе одноуровневых ячеек (SLC) и представляет новое устройство емкостью 16 Гбит (Гб) в стандартном корпусе TSOP с 48 выводами.
Это расширение серии позволит проектировщикам пользоваться преимуществами соотношения цены и производительности передовой технологии 24 нм флеш-памяти SLC NAND Toshiba во всем спектре емкостей от 1 до 128 Гб.
Как и другие изделия этой серии, новое устройство сочетает высокую производительность чтения и записи, большое количество циклов записи (с использованием 8-разрядного БЧХ-кода исправления ошибок) и расширенный диапазон рабочих температур. Благодаря этому оно прекрасно подходит как для долгосрочного хранения данных, так и для хранения часто обновляющихся данных в различных коммерческих и промышленных системах.
Обязательства компании Toshiba в отношении поддержки 24 нм технологии флеш-памяти SLC по крайней мере до 2021 года также позволяют разработчикам промышленных устройств уверенно выбирать эту технологию при создании систем для долгосрочного производства.
Новое устройство создано на базе кристалла 4 x 4 Гб и работает при напряжении питания от 2,7 до 3,3 В. Диапазон рабочих температур устройства — от -40 до 85 °C.
